2N3838 TRANSISTOR Dual NPN-PNP 40V 600mA
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Attribut de produit Valeur d’attribut Sélectionner l’attribut Fabricant: Microchip Catégorie du produit: Transistors bipolaires – BJT RoHS: N Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: Flatpack-6 Polarité du transistor: NPN, PNP Configuration: Dual Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 40 V Collecteur – Tension de base VCBO: 60 V Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 400 mV Courant CC max. du collecteur: 600 mA Pd – Dissipation d’énergie : 350 mW Température de fonctionnement min.: – 65 C Température de fonctionnement max.: 200 C Conditionnement: Reel Marque: Microchip Technology Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 35 at 100 uA, 10 V Gain de courant CC hFE max.: 300 at 150 mA, 10 V Type de produit: BJTs – Bipolar Transistors
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